磁控濺射鍍膜設備原理
磁控濺射:
磁控濺射系統在靶材的背后放置磁鐵,電子在加速飛向基片的過程中,受到垂直于電場的磁場影響,使電子產生偏轉,被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內,電子以擺線的方式沿著靶表面前進,在運動過程中不斷與Ar原子發生碰撞,電離出大量的Ar+離子,經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,終落在基片、真空室內壁及靶源陽極上。
濺射鍍膜:
這部分應是生產線的主體, 而且是處在真空狀態下的一個系統, 是由不銹鋼或碳鋼做成的一個個獨立的室體連接組成。它的兩端為了反復地使清洗過的玻璃基片進入和讓鍍制好的基片輸出, 而處在一個特殊的狀態, 稱為真空鎖室。在前后過渡室之間的部分稱為鍍膜室或濺射室。每個鍍膜室是一個獨立的沉積區域。濺射室的數量亦或濺射靶的數量, 包括選用的靶材, 取決于生產線開發膜系的能力和產量。
后處理:
鍍制好的基片從真空室內輸送到大氣中后, 一般還要經過清洗及檢測。清洗的要求沒有前處理那么嚴格。目的是使膜層的缺陷更容易暴露出來, 以便在后續的檢測中被發現。簡單的檢測就是目測, 為便于觀察, 基片的底部分布有光源, 可以發現針孔的存在和數量, 有無放電的痕跡。出線端的透過率檢測儀可以指出膜層終的透過率。也可以在基片范圍內布置多道探頭, 采集數據由計算機處理來評估膜層的縱向和橫向的均勻性及有無異常。對于特殊用途的光學薄膜出線后即進入凈化室, 覆上一層保護用的帶膠薄膜后存放。
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