磁控濺射的鍍膜原理
磁控濺射鍍膜技術分很多種,有直流磁控濺射,中頻磁控濺射,射頻磁控濺射,鍍的基材和膜層不一樣,才用的原理不一樣,選擇的技術有區別。
采用中頻濺射的優點是可得到光滑致密、膜層硬度高、膜厚可線性長、溫升緩和的產品。但要求較高,工作壓強范圍很窄,各種控制要求快速準確。 多弧濺射在靶材上施小電壓大電流使材料離子化,從而高速擊向基片并沉積,形成致密膜堅硬膜。主要用于耐磨耐蝕膜。其缺點是正負電撞造成膜層不均勻,空穴、燒蝕。
中頻濺射的原理跟一般的直流濺射是相同的,不同的是直流濺射把筒體當陽極,而中頻濺射是成對的,筒體是否參加須視整體設計而定,與整個系統濺射過程中,陽極陰極的安排有關,參與的比率周期有很多方法,不同的方法可得到不相同的濺射產額,得到不相同的離子密度。
中頻濺射主要技術在于電源的設計與應用,目前較成熟的是正弦波與脈沖方波二種方式輸出,各有其優缺點,首先應考慮膜層種類,分析哪種電源輸出方式適合哪種膜層,可以用電源特性來得到想要的膜層效果。
磁控濺射中氬離子沖擊靶材使靶材原子和分子碎片沉積在零件,靶材材料動能可達數百甚至上千電子伏特能量。是中性的納米級鍍膜。陰極弧起弧后一方面靶面高溫將材料冶金融化,強大電場然后將融化材料幾乎完全離子化,在靶電源和零件偏壓綜合作用下成膜。
文章內容來源于網絡,如有問題請和我聯系刪除!