磁控濺射鍍膜的工藝流程

2021-04-16 09:38:46

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1、基體清洗

涂層基片的清洗方法主要根據(jù)PVD涂層生長(zhǎng)方法和涂層使用目的選定。清洗的主要目的是去除表面污物和化學(xué)污物，還應(yīng)考慮表面的粗化。

2、抽本底真空

本底真空一般應(yīng)控制在2×10-4Pa以上，以盡量減少真空腔體內(nèi)的殘余氣體，保證涂層的純潔度。殘余氣體由質(zhì)譜儀監(jiān)測(cè)。

3、加熱

加熱的作用包括：基片表面除氣取水，提高膜基結(jié)合力，消除涂層應(yīng)力，提高膜層粒子的聚集度。一般選擇在150~200℃之間。

4、輔助氣體分壓

磁控濺射建立滿足輝光放電的氣壓條件，一般選擇0.01~1 Pa范圍內(nèi)，射頻濺射相對(duì)于直流濺射更容易起輝，壓力更低。

5、預(yù)濺射

對(duì)于靶材材料易氧化，在表面形成一層氧化膜，預(yù)濺射是通過(guò)離子轟擊的方法去除靶材氧化膜，以及其他非靶材物質(zhì)。轟擊出來(lái)的粒子附著在遮擋屏上通過(guò)定時(shí)清洗清除出真空室。

6、濺射

濺射建立在等離子體的條件下，氬氣電離后形成的正離子高速轟擊靶材表面，使靶材粒子濺射出來(lái)到達(dá)基片表面形成涂層。

東北磁控濺射廠家

7、退火

靶材材料與基片材料的熱膨脹系數(shù)的差異，會(huì)影響薄膜與基片的結(jié)合力。適當(dāng)應(yīng)用退火工藝，可以有效提高結(jié)合力。退火溫度選擇在400℃以下，一般高于基片加熱溫度。

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