磁控濺射鍍膜的原理是在電場的作用下，由異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體被轟擊在陰極靶的表面上，并且靶表面上的分子，原子，離子和電子被濺射并濺起。所發(fā)射的顆粒具有一定的動(dòng)能，并且沿一定的方向被導(dǎo)向基板的外表面，以在基板的表面上形成鍍層。

濺射涂層開始表現(xiàn)出簡單的直流偶極濺射。其優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡單，但直流偶極濺射沉積速率低。為了遵守自電阻放電，不能在低壓下執(zhí)行；其他缺陷限制了它們的使用。向DC偶極濺射裝置中添加熱陰極和輔助陽極構(gòu)成DC三極管濺射。通過添加的熱陰極和輔助陽極產(chǎn)生的熱電子增強(qiáng)了濺射氣體原子的電離，因此即使在低壓下也可以進(jìn)行濺射。否則，可以降低濺射電壓以在低壓下進(jìn)行濺射。處于低電壓狀態(tài)；放電電流也會(huì)增加，并且可以不受電壓影響地獨(dú)立控制。

在熱陰極前添加電極（網(wǎng)格）以形成四極濺射裝置可穩(wěn)定放電。 然而，這些裝置難以獲得具有高濃度的等離子體區(qū)域，并且沉積速度低，因此其尚未在工業(yè)中廣泛使用。

磁控濺射是在兩極濺射的基礎(chǔ)上進(jìn)行的。 磁場在靶的外觀上與電場正交，并且處理了兩極濺射的低沉積速率和低的等離子體電離速率。 工業(yè)的主要方法之一。 與其他涂覆技術(shù)相比，磁控濺射具有以下特點(diǎn)：可用于制備各種靶材，并且可以將所有金屬，合金和陶瓷材料制成靶材。 在適當(dāng)條件下，可以將多個(gè)靶材共同濺射和堆疊。 具有精準(zhǔn)穩(wěn)定比例的合金； 向?yàn)R射放電氣氛中添加氧氣，氮?dú)饣蚱渌磻?yīng)性氣體，以沉積構(gòu)成目標(biāo)材料和氣體分子的化合物膜。 并精準(zhǔn)控制濺射鍍膜工藝，以達(dá)到均勻高的膜厚精度； 離子濺射靶的材料直接從固態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體態(tài)，濺射靶的安裝不受限制，適用于大體積涂覆室的多靶布局設(shè)計(jì)。 濺射鍍膜速度快，膜層細(xì)，附著力好等特點(diǎn)，適用于大批量，高效率的工業(yè)生產(chǎn)。 近年來，磁控濺射已得到迅速發(fā)展。 代表性方法包括RF濺射，反射式磁控濺射，不平衡磁控濺射，脈沖磁控濺射和高速濺射。