文昌JGP-450型單室磁控濺射

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JGP-450型單室磁控濺射系統

設備用途

JGP-450型單室磁控濺射系統用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。

◆設備組成

系統主要由濺射真空室、 磁控濺射靶、基片水冷加熱臺、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。磁力送樣機構、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。

◆技術指標

極限真空度：≤6.6×10-5 Pa (經烘烤除氣后)；

系統真空檢漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.l/S；

系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣后，再開始抽氣，40分鐘可達到8.0×10-4 Pa；

停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa；

磁控濺射設備性能舉例：

1.用直流電源磁控沉積金屬Cu膜，可以制備出沉積速度40nm/min的膜層；同時小樣品的膜厚均勻性可以達到3％；可以在硬質和柔性沉底生長膜層；常溫也可以沉積Cu膜，不脫落，但是結合力不好；

2.用射頻電源磁控沉積氧化硅和氧化鋁膜層（等各頭氧化物薄膜），可以制備出沉積速度3—5nm/min的膜層；小樣品膜層厚度均勻性可以達到3％；膜層的介電性能較好；

系統主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片加熱公自轉臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。

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