磁控濺射技術(shù)發(fā)展過(guò)程中各項(xiàng)技術(shù)的突破一般集中在等離子體的產(chǎn)生以及對(duì)等離子體進(jìn)行的控制等方面。通過(guò)對(duì)電磁場(chǎng)、溫度場(chǎng)和空間不同種類粒子分布參數(shù)的控制，使膜層質(zhì)量和屬性滿足各行業(yè)的要求。

膜厚均勻性與磁控濺射靶的工作狀態(tài)息息相關(guān)，如靶的刻蝕狀態(tài)，靶的電磁場(chǎng)設(shè)汁等，因此，為保證膜厚均勻性，國(guó)外的薄膜制備公司或鍍膜設(shè)備制造公司都有各自的關(guān)于鍍膜設(shè)備(包括核心部件“靶”)的整套設(shè)計(jì)方案。同時(shí)，還有很多專門從事靶的分析、設(shè)計(jì)和制造的公司，并開(kāi)發(fā)相關(guān)的應(yīng)用設(shè)計(jì)軟件，根據(jù)客戶的要求對(duì)設(shè)備進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。國(guó)內(nèi)在鍍膜設(shè)備的分析及設(shè)計(jì)方面與國(guó)際先進(jìn)水平之間還存在較大差距。

因此，建立濺射鍍膜綜合設(shè)計(jì)系統(tǒng)是勢(shì)在必行的。系統(tǒng)的建立可按照由整體綜合設(shè)計(jì)展開(kāi)到部分設(shè)計(jì)，然后，再由部分設(shè)計(jì)逐步深入到整體綜合設(shè)計(jì)，即“整體到部分，再到整體”這一動(dòng)態(tài)設(shè)計(jì)理念，不斷完善設(shè)計(jì)系統(tǒng)。將濺射鍍膜所涉及的重要因素列舉出來(lái)，找出它們之間的內(nèi)在聯(lián)系，進(jìn)而建立濺射鍍膜綜合設(shè)計(jì)系統(tǒng)，在此基礎(chǔ)上進(jìn)行膜厚均勻性研究，并為后期轉(zhuǎn)化為設(shè)計(jì)系統(tǒng)軟件做鋪墊，來(lái)實(shí)現(xiàn)制備薄膜均勻性好的大面積薄膜，為生產(chǎn)提供有力的保障。

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