射頻磁控濺射是一種濺射鍍膜法，它對陰極濺射中電子使基片溫度上升過快的缺點(diǎn)加以改良，在被濺射的靶極（陽極）與陰極之間加一個(gè)正交磁場和電場，電場和磁場方向相互垂直。當(dāng)鍍膜室真空抽到設(shè)定值時(shí)，充入適量的氬氣，在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁)之間施加幾百伏電壓，便在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，氬氣被電離。在正交的電磁場的作用下，電子以擺線的方式沿著靶表面前進(jìn)，電子的運(yùn)動(dòng)被限制在一定空間內(nèi)，增加了同工作氣體分子的碰撞幾率，提高了電子的電離效率。電子經(jīng)過多次碰撞后，喪失了能量成為 “最終電子”進(jìn)入弱電場區(qū)，最后到達(dá)陽極時(shí)已經(jīng)是低能電子，不再會(huì)使基片過熱。同時(shí)高密度等離子體被束縛在靶面附近，又不與基片接觸，將靶材表面原子濺射出來沉積在工件表面上形成薄膜。而基片又可免受等離子體的轟擊，因而基片溫度又可降低。更換不同材質(zhì)的靶和控制不同的濺射時(shí)間，便可以獲得不同材質(zhì)和不同厚度的薄膜。

射頻濺射的質(zhì)量受到預(yù)抽真空度、濺射時(shí)的氬氣壓強(qiáng)、濺射功率、濺射時(shí)間、襯底溫度等因素的影響，要想得到理想的濺射膜，必須優(yōu)化這些影響因素。納米薄膜的獲得主要通過兩種途徑：(1)在非晶薄膜晶的過程中控制納米結(jié)構(gòu)的形成；(2)在薄膜的成核生長過程中控制納米結(jié)構(gòu)的形成，其中薄膜沉積條件的控制極為重要。在濺射過程中,采用高的濺射氣壓、低的濺射易于得到納米結(jié)構(gòu)的薄膜。

離子束濺射

以單離子束濺射為例，它由離子源、離子引出極和沉積室3大部分組成，在高真空或超高真空中濺射鍍膜法。利用直流電場使惰性氣體（通常為氬）發(fā)生電離，產(chǎn)生輝光放電等離子體，電離產(chǎn)生的正離子和電子高速轟擊靶材，使靶材上的原子或分子濺射出來，然后沉積到基板上形成薄膜。在其離子源內(nèi)由惰性氣體產(chǎn)生的離子具有較高能量（通常為幾百至幾千eV），可以通過一套電氣系統(tǒng)來控制離子束的性能，從而改變離子轟擊靶材料產(chǎn)生不同的濺射效應(yīng)，使靶材料沉積到基片上形成納米材料。濺射法中的靶材無相變，化合物的成分不易發(fā)生變化；又由于濺射沉積到基片上的粒子能量比蒸發(fā)沉積高出幾十倍，所形成的納米材料附著力高。

離子束濺射沉積法除可以控制離子束的能量、密度和入射角度來調(diào)整納米薄膜的微觀形成過程，濺射過程中的基片溫度較低外還有以下優(yōu)點(diǎn)：①可制備多種納米金屬，包括高熔點(diǎn)和低熔點(diǎn)金屬，而常規(guī)的熱蒸發(fā)只能適用于低熔點(diǎn)金屬；② 能制備多組元的化合物納米微粒，如Al52Ti48，Cu91Mn9及ZrO2等；③通過加大被濺射的陰極表面可提高納米微粒的獲得量。

Lawrence Livemore國家實(shí)驗(yàn)室的Bwbee等人利用真空濺射技術(shù)制成了層狀交替金屬復(fù)合材料。該技術(shù)是經(jīng)氬離子將金屬表面的原子激發(fā)出來，并沉積成層狀。只要控制離子束交替沖擊不同金屬表面，就可以制成由幾百、幾千層不同金屬組成的復(fù)合材料，每一層只有0.2nm厚。

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