設備用途：

磁控與離子束復合系統用于納米級單層及多層功能膜、 硬質膜、 金屬膜、 半導體膜、 介質膜、 鐵磁膜和磁性薄膜等的制備。 可廣泛應用于半導體、 微電子及新材料領域。

設備組成：

系統主要由濺射真空室、 磁控濺射靶、 基片水冷加熱公轉臺、 Kaufman 離子槍、 四工位轉靶、 工作氣路、 抽氣系統、 真空測量、 電控系統及安裝機臺等部分組成。

技術指標：

極限真空度：≤6.67×10-5 Pa (經烘烤除氣后)；

系統真空檢漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.l/S；停機12小時≤5Pa.

系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣后，再開始抽氣，45分鐘可達到6.67×10-4Pa；

系統主要由蒸發真空室、E型電子槍、熱蒸發電極、旋轉基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、真空測量、安裝機臺及電控系統等部分組成。