設備用途：

單室離子束鍍膜設備系統為高真空多功能離子束沉積系統， 系統可用于開發納米級的單層及多層功能膜和復合膜-可鍍金屬、 合金、 化合物、 半導體、 介質復合膜等。 廣泛應用于大專院校、 科研院所進行薄膜材料的科研與小批量制備。

設備組成：

系統主要由沉積室、 考夫曼濺射離子源、 考夫曼清洗輔助離子源、 樣品臺、 樣品加熱裝置、膜厚監測系統、 泵抽系統、 真空測量系統、 氣路系統、 電控系統等組成。

技術指標：

1、極限真空度：≤8.0×10-5Pa (經烘烤除氣后)；

2、系統真空檢漏漏率：≤5.0×10-8Pa.L/S；停機12小時≤5Pa.

3、系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣后，再開始抽氣，45分鐘可達到6.6×10-4Pa；

4、系統主要由蒸發真空室、E型電子槍、熱蒸發電極、旋轉基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、真空測量、安裝機臺及電控系統等部分組成。